4. Výroba exfoliovaného grafenu 31
5.2. Nitridace Ga na grafenu
Obrázek 5.11: Schematické znázornění možného vysvětlení růstu kuliček a plošek Ga v zá-vislosti na počtu vrstev grafenu.
5.2. Nitridace Ga na grafenu
Příprava GaN nanostruktur byla provedena ve dvou krocích. Nejprve bylo deponováno gálium na grafen za obdobných podmínek, jak je posáno výše v této kapitole. Poté byly gáliové ostrůvky nitridovany užitím iontů dusíku N2+ o nízké energii (50 eV), které byly produkovány iontově atomárním zdrojem na obrázku 5.12. Jedná se o kombinaci efuzní ce-ly a elektron-srážkového iontového zdroje. Do prostoru zdroje je napouštěn pce-lyn, v našem případě dusík. V prostoru ionizační mřížky je plyn ionizován pomocí srážek s elektro-ny. Svazek iontů je ze zdroje extrahován záporným potenciálem a fokusován na vzorek.
Energie iontů dopadajících na vzorek je dána rozdílem potenciálů mezi místem vzniku iontů (+50 V) a vzorkem (0 V). Tento zdroj může sloužit pro depozici gália i nitridaci zároveň. Nicméně v této práci byl iontově-atomární zdroj užit jen jako zdroj dusíkových iontů. V této práci byly provedeny dvě post-nitridace gáliových ostrůvků za různých tep-lot substrátu (200◦C, 230◦C) a se stejným časem depozice Ga ostrůvků (2 hodiny), ale různým časem post-nitridace (2 h, 3 h). Parametry nastavení iontově atomárního zdroje při post-nitridaci jsou shrnuty v tabulce 5.1.
5.2. NITRIDACE GA NA GRAFENU
Tabulka 5.1: Parametry nastavení iontově atomárního zdroje při post-nitridaci.
Obrázek 5.12: Iontově atomární zdroj pro depozici GaN [53].
Změna povrchu vzorku po nitridaci je viditelná již pomocí optického mikroskopu v reži-mu temného pole. Na obrázku 5.13 je porovnání fotografií Ga a GaN na grafenu pořízených pomocí optického mikroskopu Nikon typu MX51 v temném poli. GaN krystaly tedy roz-ptylují světlo jinak, než nadeponované Ga. Nitridované vzorky byly následně studovány pomocí SEM Verios 460L od firmy FEI a měřena jejich fotoluminiscence. Na obrázku 5.14 jsou obrázky SEM vzorku s GaN na grafenu, který byl deponován při teplotě 200◦C a post-nitridován po dobu 2 hodin. V detailnějších obrázcích dvou vybraných oblastí lze vidět GaN krystaly různých tvarů na vícevrstvém grafenu. Lze pozorovat dva druhy krys-talů. Světlejší krystaly vzniknuté post-nitridací Ga kuliček a tmavé krystaly vzniknuté post-nitridací Ga plošek.
Na obrázku 5.15 jsou obrázky vzorečku deponovaném při teplotě230◦Ca post-nitridovaném po dobu3hodin, pořízené pomocí SEM typu Verios 460L od firmy FEI. Na obrázcích lze vidět GaN krystaly na jednovrstvém a vícevrstvém grafenu. Vícevrstvý grafen, který je tmavší, obsahuje jenom GaN krystaly vzniklé post-nitridací Ga kuliček, protože jsou světlé a větší. Na jednovrstvém grafenu můžeme pozorovat menší GaN krystaly tmavšího odstí-nu, než na vícevrstvém grafenu. To odpovídá vzniku krystalů post-nitridací z Ga plošek.
Tyto krystaly mají také výraznější hrany. Oblast jednovrstvého grafenu je zajímavá i díky světlejším cestičkám nacházejícím se mezi GaN krystaly, které byly zmiňovány už dříve v této kapitole.
Fotoluminiscence je měření, kdy je vlnová délka laseru zvolena v závislosti na šířce zakázaného pásu. Cílem je pomocí budícího laseru vytvořit pár elektron-díra, který poté zařivě rekombinuje v případě polovodičů s přímým přechodem. K těmto polovodičům také patří GaN [54]. Vlnová délka námi použitého He-Cd laseru byla λ = 325 nm, která
Obrázek 5.13: Fotografie z optického mikroskopu v temném poli (a) Ga na grafenu, (b) GaN na grafenu.
Obrázek 5.14: Topografie GaN na exfoliovaném grafenu připravené post-nitridací pořízená pomocí SEM. Vzorek byl deponován při teplotě200◦Ca post-nitridovaný po dobu2hodin.
odpovídá energií 3,81 eV. Při šířce zakázaného pásu GaN 3,4 eV je tedy energie laseru dostatečná.
Na obrázku 5.16 je znázorněna fotoluminiscence pro vzorek, který byl deponován při teplotě 200◦C a post-nitridován po dobu 2 hodin. Fotoluminiscence je slabá a pík odpo-vídající přímému přechodu je malý. V grafu se nalézá dominantní pík na pozici 515 nm nazývaný „zelená fotoluminiscence”. V poloze kolem385 nmje málo intenzivní pík odpoví-dající zářivé rekombinaci mezi dírami ve valenčním pásu a elektrony ve vodivostním pásu GaN označován jako (NBE-”near-bandedge emission”) [55].
Na obrázku 5.17 je fotoluminiscence pro vzorek deponovaný při teplotě230◦Ca post-nitridovaný po dobu 3hodin se zvýrazněnými polohami maxim píků a jejich pološířkami.
Fotoluminiscenční spektrum bylo naměřené pro jednovrstvý grafen a vícevrstvý grafen.
5.2. NITRIDACE GA NA GRAFENU
1 μm 3 μm 20 μm
Obrázek 5.15: Topografie GaN na exfoliovaném grafenu připravené post-nitridací pořízená pomocí SEM. Vzorek byl deponován při teplotě230◦Ca post-nitridovaný po dobu3hodin.
3 5 0 4 0 0 4 5 0 5 0 0 5 5 0 6 0 0
0
2 0 0 4 0 0 6 0 0 8 0 0 1 0 0 0
Intenzita
V l n o v á d é l k a ( n m )
3 8 5 5 1 5
Obrázek 5.16: Fotoluminiscence pro vzorek deponovaný a nitridovaný při teplotě200◦Ca post-nitridován po dobu 2 hodin.
Lze vidět výrazný rozdíl ve fotoluminiscenčních spektrech. Pro jednovrstvý grafen jsou výrazné typické píky pro GaN. Pík na poloze kolem365 nmodpovídá NBE. Pík na poloze kolem515 nmodpovídá zelené fotoluminiscenci, která je zapříčiněna přechody způsobeny nečistotami a defekty. Pravděpodobně se jedná o gáliové vakance a uhlíkové nebo kyslíkové
nečistoty. Poměr mezi těmito píky a jejich šířka jsou považovány za kritéria posuzování kvality GaN. Čím je NBE pík užší, tím je GaN kvalitnější [56]. Ve fotoluminiscenčním spektru vícevrstvého grafenu je výrazný jenom pík modré fotoluminiscence na hodnotě 435 nmodpovídající objemovým nečistotám nebo gáliovým a dusíkovým vakancím.
Obrázek 5.17: Fotoluminiscence pro jedovrstvý a vícevrstvý grafen pro vzorek deponovaný při teplotěT = 230◦Ca post-nitridován po dobut= 3hodin. Červená čára odpovídá foto-luminscenci GaN na jednovrstvém grafenu s typickým píkem pro GaN na poloze365 nma zelené fotoluminiscenci na poloze 515 nm. Černá čára odpovídá fotoluminiscenci GaN na vícevrstvém grafenu píkem na pozici435 nmodpovídající modré fotoluminiscenci. Polohy maxim píků a jejich pološířky jsou vyznačeny.
Na obrázku 5.18 je porovnání fotoluminiscence pro vzorek deponovaný při teplotě T = 230◦C a post-nitridován po dobu t = 3 hodin a vzorek deponovaný při teplotě T =
= 200◦C a post-nitridovaném po dobu t = 2 hodiny. Vzorek deponovaný kratší dobu má velice slabou fotoluminiscenci a pík typický pro GaN na poloze 385 nm nelze dobře vidět. Píky odpovídající zelené fotoluminiscenci jsou přítomné v obou případech na pozici 515 nm. Rozdílem je NBE pík, který je pro vzorek deponovaný 200◦C a post-nitridován po dobu 2hodin nejen mnohem méně intenzivní, ale i posunutý doprava na polohu kolem 385 nm. Rozdílná je taky intenzita píků. Pro lepší kvalitu a velikost krystalů GaN se používá depozice ve více cyklech. V mých experimentech byl proveden vždy jen jeden cyklus a byla měněna jenom jeho délka.
5.2. NITRIDACE GA NA GRAFENU
3 5 0 4 0 0 4 5 0 5 0 0 5 5 0 6 0 0
0
1 0 0 0 2 0 0 0 3 0 0 0 4 0 0 0
Intenzita
V l n o v á d é l k a ( n m )
T = 2 3 0 ° C , t = 3 h T = 2 0 0 ° C , t = 2 h
5 1 5 3 6 5 3 8 5
Obrázek 5.18: Porovnáni fotoluminiscenčního spektra GaN na grafenu pro vzorek depo-nován při teplotě T = 230◦C a post-nitridován po dobu t = 3 hodin (zelená) a vzorek deponován při teplotě T = 200◦Ca post-nitridovaném po dobut = 2 hodiny (růžová).
Závěr
Prvním cílem práce bylo provést rešeršní studii na téma růstu kovových a polovodičových struktur na grafenový substrát. Teoretická část se proto skládá z kapitoly 1 věnující se gra-fenu, jeho popisu, vlastnostem, výrobě a charakterizaci. Kapitola 2 se pak zabývá růstem tenkých a ultratenkých vrstev, růstovými módy, popisem molekulární svazkové epitaxe i aparatury potřebné pro růst vrstev obecně. V kapitole 3 je už bližší pohled na depozici gália jako kovové struktury a nitridu galitého jako polovodičového krystalu. Tato kapi-tola se zabývá nejen základními vlastnostmi deponovaných materiálů, ale i vlastnostmi získanými spojením těchto struktur s grafenem.
Dalším bodem byla příprava a analýza exfoliovaných monokrystalických grafenových substrátů, která je popsána v kapitole 4. Grafenové substráty byly připraveny metodou mechanické exfoliace použitím DGL filmu od formy Gel-pak s kineticky kontrolovatelnou adhezí, čímž byla zvýšena efektivita této metody. Grafen pak byl zkoumaný pomocí optic-kého mikroskopu a Ramanovy spektroskopie, čímž byla potvrzena existence jednovrstvého grafenu na pěti vzorcích, které byly pak použité pro depozice.
Depozice Ga a GaN ultratenkých vrstev a jejich charakterizace jsou popsány v ka-pitole 5. Pro depozici byla použita metoda molekulární svazkové epitaxe. Gálium bylo deponováno při stálém toku částic, ale za třech různých teplot substrátů. Čím je teplota depozice vyšší, tím jsou Ga ostrůvky větší a dál od sebe. Na SEM obrázcích bylo vidět, že morfologie Ga ostrůvků se liší v závislosti na počtu vrstev grafenu, na kterém roste. Na vícevrstvém grafenu rostou Ga ostrůvky ve formě kuliček, ale na dvouvrstvém a jednovrst-vém grafenu roste ve formě plošek. Byl porovnaný růst na jednovrstjednovrst-vém, dvouvrstjednovrst-vém a vícevrstvém grafenu pomocí Ramanovy spektroskopie, kdy se typické grafenové píky lišily v závislosti na počtu vrstev a D pík odpovídající vadám grafenové mřížky byl intezivnější směrem k jednovrstvému grafenu.
GaN krystaly vznikly následnou nitridací Ga ostrůvků a byly studovány pomocí foto-luminiscence a rastrovacího elektronového mikroskopu. Byly pozorovány dva typy GaN krystalů v závislosti na struktuře Ga ostrůvků. Fotoluminscence GaN závisí na kvalitě vy-robených krystalů, která souvisí s teplotou substrátu i časem depozice a dobou následné post-nitridace. Bylo pozorováno, že pro větší teplotu substrátu a delší post-nitridaci byla intenzita fotoluminiscnečních píků větší. Ve všech fotoluminiscenčních spektrech se také vyskytoval zelený pík signalizující vady GaN krystalů. V případě GaN na vícevrstvém grafenu byl ve spektru výrazný modrý pík, který vzniká následkem nečistot a vakancí.
Literatura
[1] MAREŠ, Petr. Depozice Ga a GaN Nanostruktur Na Křemı́kový a Grafenový Sub-strát. Fakulta strojnı́ho inženýrstvı́, 2014. diplomová práce. Vysoké učenı́ technické Brně.
[2] ING. STANISLAV BÁRDY. DEPOZICE GA A GAN NANOSTRUKTUR NA VO-DÍKEM MODIFIKOVANÝ GRAFENOVÝ SUBSTRÁT. FSI, Ústav fyzikálnı́ho inženýrstvı́, 2016. masters. Vysoké učenı́ technické Brně.
[3] DVOŘÁK, Martin. Depozice Ga a GaN ultratenkých vrstev na grafenový substrát.
FSI, Ústav fyzikálnı́ho inženýrstvı́, 2012/2013. diplomová práce. Vysoké učenı́ tech-nické Brně. Dvorak,diplomka.
[4] NETO, Antonio Castro, Francisco GUINEA a Nuno Miguel PERES. Drawing Conclusi-ons from Graphene. Physics World. 2006, roč. 19, č. 11, s. 33–37. ISSN 0953-8585, 2058-7058. Dostupné z: doi:10.1088/2058-7058/19/11/34.
[5] WALLACE, P. R. The Band Theory of Graphite. Physical Review. 1947, roč. 71, č. 9, s. 622–634. ISSN 0031-899X. Dostupné z: doi:10.1103/PhysRev.71.622.
[6] NOVOSELOV, K. S., D. JIANG, F. SCHEDIN, T. J. BOOTH, V. V. KHOTKE-VICH, S. V. MOROZOV a A. K. GEIM. Two-Dimensional Atomic Crystals. Proce-edings of the National Academy of Sciences. 2005, roč. 102, č. 30, s. 10451–10453.
ISSN 0027-8424, 1091-6490. Dostupné z: doi:10.1073/pnas.0502848102.
[7] CASTRO NETO, A. H., F. GUINEA, N. M. R. PERES, K. S. NOVOSELOV a A. K.
GEIM. The Electronic Properties of Graphene. Reviews of Modern Physics. 2009, roč. 81, č. 1, s. 109–162. ISSN 0034-6861, 1539-0756. Dostupné z: doi:10 . 1103 / RevModPhys.81.109.
[8] GEIM, A. K. a K. S. NOVOSELOV. The Rise of Graphene. Nature Materials.
2007, roč. 6, č. 3, s. 183–191. ISSN 1476-1122, 1476-4660. Dostupné z: doi:10.1038/
nmat1849.
[9] PAVEL PROCHÁZKA. Přı́prava grafenu metodou CVD. Fakulta strojnı́ho inže-nýrstvı́, 2012. masters. Vysoké učenı́ technické Brně. Prochazka.
[10] BODENMANN, Andrey K. a Allan H. MACDONALD. Graphene: Exploring Car-bon Flatland. Physics Today. 2007, roč. 60, č. 8, s. 35–41. ISSN 0031-9228, 1945-0699.
Dostupné z: doi:10.1063/1.2774096.
[11] LEE, C., X. WEI, J. W. KYSAR a J. HONE. Measurement of the Elastic Properties and Intrinsic Strength of Monolayer Graphene. Science. 2008, roč. 321, č. 5887, s. 385–388. ISSN 0036-8075, 1095-9203. Dostupné z: doi:10.1126/science.1157996.
[12] Graphene: Synthesis and Applications. Boca Raton: CRC Press, 2012. Nanomateri-als and their applications. ISBN 978-1-4398-6187-5.
[13] NAIR, R. R., P. BLAKE, A. N. GRIGORENKO, K. S. NOVOSELOV, T. J. BO-OTH, T. STAUBER, N. M. R. PERES a A. K. GEIM. Fine Structure Constant Defines Visual Transparency of Graphene. Science. 2008, roč. 320, č. 5881, s. 1308–
1308. ISSN 0036-8075, 1095-9203. Dostupné z: doi:10.1126/science.1156965.
[14] DAS, Santanu, Pitchaimuthu SUDHAGAR, Yong Soo KANG a Wonbong CHOI.
Graphene Synthesis and Application for Solar Cells. Journal of Materials Research.
2014, roč. 29, č. 03, s. 299–319. ISSN 0884-2914, 2044-5326. Dostupné z: doi:10 . 1557/jmr.2013.297.
[15] GILJE, Scott, Song HAN, Minsheng WANG, Kang L. WANG a Richard B. KANER.
A Chemical Route to Graphene for Device Applications. Nano Letters. 2007, roč. 7, č. 11, s. 3394–3398. ISSN 1530-6984, 1530-6992. Dostupné z: doi:10.1021/nl0717715.
[16] POLLARD, Benjamin. Growing Graphene via Chemical Vapor Deposition. Depart-ment of Physics, 2011. Dis. Pomona College.
[17] BLAKE, P., E. W. HILL, A. H. CASTRO NETO, K. S. NOVOSELOV, D. JIANG, R. YANG, T. J. BOOTH a A. K. GEIM. Making Graphene Visible. Applied Physics Letters. 2007, roč. 91, č. 6, s. 063124. ISSN 0003-6951, 1077-3118. Dostupné z:
doi:10.1063/1.2768624.
[18] ANDOR AN OXFORD INSTRUMENTS COMPANY. An Introduction to Raman Spectroscopy.
[19] LOADER, Jack. Basic Laser Raman Spectroscopy. London] [Philadelphia: Heyden Sadtler Research Laboratories, 1970. ISBN 978-0-85501-020-1.
[20] AHMAD, Muneer, Hyosub AN, Yong Seung KIM, Jae Hong LEE, Jongwan JUNG, Seung-Hyun CHUN a Yongho SEO. Nanoscale Investigation of Charge Transport at the Grain Boundaries and Wrinkles in Graphene Film. Nanotechnology. 2012, roč. 23, č. 28, s. 285705. ISSN 0957-4484, 1361-6528. Dostupné z: doi:10.1088/0957-4484/23/28/285705.
[21] MALARD, L.M., M.A. PIMENTA, G. DRESSELHAUS a M.S. DRESSELHAUS.
Raman Spectroscopy in Graphene. Physics Reports. 2009, roč. 473, č. 5-6, s. 51–87.
ISSN 03701573. Dostupné z: doi:10.1016/j.physrep.2009.02.003.
[22] PROCHÁZKA, Pavel. Přı́prava grafenu metodou CVD. Fakulta strojnı́ho inženýrstvı́, 2012. diplomová práce. Vysoké učenı́ technické Brně.
[23] HUGHES, Matt. What Is Thin Film Deposition? 2014.
[24] IBACH, H. Physics of Surfaces and Interfaces. Berlin ; New York: Springer, 2006.
ISBN 978-3-540-34709-5. OCLC: ocm74270148.
[25] LÜTH, H. Surfaces and Interfaces of Solid Materials. 3rd ed., updated print. Berlin
; New York: Springer Verlag, 1997. ISBN 978-3-540-58576-3. Luth,surfaces.
[26] ARTHUR, John R. Molecular Beam Epitaxy. Surface Science. 2002, roč. 500, č. 1-3, s. 189–217. ISSN 00396028. Dostupné z: doi:10.1016/S0039-6028(01)01525-4.
[27] HERMAN, Marian A. a Helmut SITTER. MBE Growth Physics: Application to De-vice Technology. Microelectronics Journal. 1996, roč. 27, č. 4-5, s. 257–296. ISSN 00262692.
Dostupné z: doi:10.1016/0026-2692(95)00059-3. MBE,Herman.
[28] OHRING, Milton. Materials Science of Thin Films: Deposition and Structure. 2nd ed. San Diego, CA: Academic Press, 2002. ISBN 978-0-12-524975-1.
[29] MAREŠ, Petr. Selektivnı́ růst GaN na modifikovaný substrát metodou FIB. FSI, Ústav fyzikálnı́ho inženýrstvı́, 2011/2012. bakalářská. Vysoké učenı́ technické Brně.
Mares,bakalarka.
[30] DARLING, R.B. Physical Vapor Deposition. The University of Virginia.
[31] MURRAY ROBERTSON. Gallium. 2017. Gatable.
[32] CHIKYOW, T., N. KOGUCHI a A. SHIKANAI. Direct Ga Deposition by Low-Energy Focused Ion-Beam System. Surface Science. 1997, roč. 386, č. 1-3, s. 254–
258. ISSN 00396028. Dostupné z: doi:10.1016/S0039-6028(97)00327-0. GadepFIB.
[33] SIDOROV, Anton N., Grzegorz W. SŁAWIŃSKI, A.H. JAYATISSA, Francis P. ZA-MBORINI a Gamini U. SUMANASEKERA. A Surface-Enhanced Raman Spectrosco-py Study of Thin Graphene Sheets Functionalized with Gold and Silver Nanostructu-res by Seed-Mediated Growth. Carbon. 2012, roč. 50, č. 2, s. 699–705. ISSN 00086223.
Dostupné z: doi:10.1016/j.carbon.2011.09.030. AuNPgraphene.
[34] JINDŘICH MACH, PAVEL PROCHÁZKA, MIROSLAV BARTOŠÍK, DAVID NE-ZVAL, JAKUB PIASTEK, JÁN HULVA, MARTIN KONEČNÝ a TOMÁŠ ŠIKO-LA. Electronic Transport Properties of Graphene Doped by Gallium. Bude publiko-váno. 2017, roč. Bude publikováno, č. Bude publikopubliko-váno.
[35] LOSURDO, Maria, Congwen YI, Alexandra SUVOROVA, Sergey RUBANOV, Tong-Ho KIM, Maria M. GIANGREGORIO, Wenyuan JIAO, Iris BERGMAIR, Gio-vanni BRUNO a April S. BROWN. Demonstrating the Capability of the High-Performance Plasmonic Gallium–Graphene Couple. ACS Nano. 2014, roč. 8, č. 3, s. 3031–3041. ISSN 1936-0851, 1936-086X. Dostupné z: doi:10.1021/nn500472r.
[36] KANG, Leilei, Jiayu CHU, Hongtao ZHAO, Ping XU a Mengtao SUN. Recent Progress in the Applications of Graphene in Surface-Enhanced Raman Scattering and Plasmon-Induced Catalytic Reactions. J. Mater. Chem. C. 2015, roč. 3, č. 35, s. 9024–9037. ISSN 2050-7526, 2050-7534. Dostupné z: doi:10.1039/C5TC01759A.
[37] BERCIAUD, Stéphane, Sunmin RYU, Louis E. BRUS a Tony F. HEINZ. Pro-bing the Intrinsic Properties of Exfoliated Graphene: Raman Spectroscopy of Free-Standing Monolayers. Nano Letters. 2009, roč. 9, č. 1, s. 346–352. ISSN 1530-6984, 1530-6992. Dostupné z: doi:10.1021/nl8031444.
[38] YI, Congwen, Tong-Ho KIM, Wenyuan JIAO, Yang YANG, Anne LAZARIDES, Kurt HINGERL, Giovanni BRUNO, April BROWN a Maria LOSURDO. Evidence of Plasmonic Coupling in Gallium Nanoparticles/Graphene/SiC. Small. 2012, roč. 8, č. 17, s. 2721–2730. ISSN 16136810. Dostupné z: doi:10.1002/smll.201200694.
[39] DENIS, Pablo A. Chemical Reactivity and Band-Gap Opening of Graphene Do-ped with Gallium, Germanium, Arsenic, and Selenium Atoms. ChemPhysChem.
2014, roč. 15, č. 18, s. 3994–4000. ISSN 14394235. Dostupné z: doi:10.1002/cphc.
201402608.
[40] RAIS-ZADEH, Mina, Vikrant Jayant GOKHALE, Azadeh ANSARI, Marc FAU-CHER, Didier THERON, Yvon CORDIER a Lionel BUCHAILLOT. Gallium Nit-ride as an Electromechanical Material. Journal of Microelectromechanical Systems.
2014, roč. 23, č. 6, s. 1252–1271. ISSN 1057-7157, 1941-0158. Dostupné z: doi:10.
1109/JMEMS.2014.2352617.
[41] PATSHA, Avinash, P. SAHOO, Kishore K. MADAPU, S. DHARA a A. K. TYAGI.
Growth of GaN Nanostructures on Graphene. In: IEEE, 2011, s. 553–555. ISBN 978-1-4673-0074-2 978-1-4673-0071-1 978-1-4673-0073-5. Dostupné z: doi:10.1109/ICONSET.
2011.6168029.
[42] MD. RAJIBUL ISLAM. What Is the Difference between an Optical and an Acoustic Phonon? 2014.
[43] FEI CHAN, Yu, Chang XING ZHANG, Zheng LONG WU, Dan MEI ZHAO, Wei WANG, Hai JUN XU a Xiao Ming SUN. Ag Dendritic Nanostructures as Ultrastable Substrates for Surface-Enhanced Raman Scattering. Applied Physics Letters. 2013, roč. 102, č. 18, s. 183118. ISSN 0003-6951, 1077-3118. Dostupné z: doi:10.1063/1.
4803937.
[44] MILEKHIN, A.G., L.L. SVESHNIKOVA, T.A. DUDA, N.A. YERYUKOV, E.E.
RODYAKINA, A.K. GUTAKOVSKII, S.A. BATSANOV, A.V. LATYSHEV a D.R.T.
ZAHN. Surface-Enhanced Raman Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures.
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2016, roč. 75, s. 210–222.
ISSN 13869477. Dostupné z: doi:10.1016/j.physe.2015.09.013.
[45] ISHII, Akira, Takaaki TATANI, Hiroki ASANO a Kengo NAKADA. Computational Study for Growth of GaN on Graphite as 3D Growth on 2D Material. physica status solidi (c). 2010, roč. 7, č. 2, s. 347–350. ISSN 18626351, 16101642. Dostupné z:
doi:10.1002/pssc.200982430.
[46] GOHDA, Y. a S. TSUNEYUKI. Structural Phase Transition of Graphene Caused by GaN Epitaxy. Applied Physics Letters. 2012, roč. 100, č. 5, s. 053111. ISSN 0003-6951, 1077-3118. Dostupné z: doi:10.1063/1.3680100.
[47] GEL-PAK, PROTECTING THE WORLD’S VALUABLE DEVICES. DGL Film.
2017.
[48] MEITL, Matthew A., Zheng-Tao ZHU, Vipan KUMAR, Keon Jae LEE, Xue FENG, Yonggang Y. HUANG, Ilesanmi ADESIDA, Ralph G. NUZZO a John A. ROGERS.
Transfer Printing by Kinetic Control of Adhesion to an Elastomeric Stamp. Nature Materials. 2006, roč. 5, č. 1, s. 33–38. ISSN 1476-1122, 1476-4660. Dostupné z:
doi:10.1038/nmat1532.
[49] BROWN, H R. The Adhesion Between Polymers. Annual Review of Materials Science. 1991, roč. 21, č. 1, s. 463–489. ISSN 0084-6600. Dostupné z: doi:10.1146/
annurev.ms.21.080191.002335.
[50] KAROL NOGAJEWSKI. The Physics and Technology of van Der Waals Hete-rostructures. Laboratoire National des Champs Magnétiques Intenses CNRS-UJF-UPS-INSA, Grenoble, France: 2014.
[51] VERONIKA HAMMEROVÁ. Studium rozhranı́ grafen/křemı́k užitı́m metody EBIC.
FSI, Ústav fyzikálnı́ho inženýrstvı́, 2014. bakalářská. Vysoké učenı́ technické Brně.
[52] MUNZ, Martin, Cristina E. GIUSCA, Rachael L. MYERS-WARD, D. Kurt GASKILL a Olga KAZAKOVA. Thickness-Dependent Hydrophobicity of Epitaxial Graphene.
ACS Nano. 2015, roč. 9, č. 8, s. 8401–8411. ISSN 1936-0851, 1936-086X. Dostupné z: doi:10.1021/acsnano.5b03220.
[53] ING. JINDŘICH MACH. VÝVOJ A APLIKACE UHV ZAŘÍZENÍ PRO DEPO-ZICE TENKÝCH VRSTEV. FSI, Ústav fyzikálnı́ho inženýrstvı́, 2009. dizertačnı́
práca. Vysoké učenı́ technické Brně.
[54] HANNU KOSKENVAARA. Photoluminescence Spectroscopy and Carrier Dyna-mics Modeling of Quantum Dot Structures. Department of Micro a Nanosciences, 2008. dissertation. Helsinki University of Technology Faculty of Electronics, Com-munications a Automation.
[55] SANTANA, Guillermo, Osvaldo DE MELO, Jorge AGUILAR-HERNÁNDEZ, Roge-lio MENDOZA-PÉREZ, B. MONROY, Adolfo ESCAMILLA-ESQUIVEL, Máximo LÓPEZ-LÓPEZ, Francisco DE MOURE, Luis HERNÁNDEZ a Gerardo CONTRERAS-PUENTE. Photoluminescence Study of Gallium Nitride Thin Films Obtained by Infrared Close Space Vapor Transport. Materials. 2013, roč. 6, č. 3, s. 1050–1060.
ISSN 1996-1944. Dostupné z: doi:10.3390/ma6031050.
[56] RESHCHIKOV, Michael A. Evaluation of GaN by Photoluminescence Measurement.
physica status solidi (c). 2011, roč. 8, č. 7-8, s. 2136–2138. ISSN 18626351. Dostupné z: doi:10.1002/pssc.201000912.